三星宣布已量产 3 nm 芯片

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韩国科技巨头三星集团近日宣布,该公司已经开始大规模生产使用最先进的 3 nm 芯片制程的半导体,成为全球首家量产 3 nm 芯片的公司。

三星在 3 nm工艺上采用了全新的 GAA(Gate All Around)晶体管架构,相比较于传统的FinFET(鳍式场效应晶体管)架构有所不同。全新的架构大大改善了功率效率。

三星公司在一份声明中说,新开发的在初始生产阶段,3 nm 制程使新芯片的性能提高了 23%,功耗降低了 45%,并将面积减少了 16%。该公司表示,预计在下一阶段,即第二代 3 nm 芯片工艺则可以提高 30% 的性能,降低 50% 的功耗,以及减少 35% 的面积。

与此同时,台积电方面早前曾宣布将在今年下半年启动 3 nm 芯片的大规模量产。不过,与三星不同的是,台积电仍将会采用 FinFET 架构。

据汗媒报道,有专家称,如果三星在基于 GAA 的 3 nm 芯片制程上保证了稳定的产量,它就能成为代工市场的游戏规则改变者。这是因为台积电预计将从 2 nm 芯片开始引入 GAA 工艺,并在 2026 年左右发布第一个产品。

也就是说。未来三年将会是三星集团的一个关键时期。

(综合报道)

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