韩国科技巨头三星集团近日宣布，该公司已经开始大规模生产使用最先进的 3 nm 芯片制程的半导体，成为全球首家量产 3 nm 芯片的公司。
三星在 3 nm工艺上采用了全新的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，相比较于传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构有所不同。全新的架构大大改善了功率效率。
三星公司在一份声明中说，新开发的在初始生产阶段，3 nm 制程使新芯片的性能提高了 23%，功耗降低了 45%，并将面积减少了 16%。该公司表示，预计在下一阶段，即第二代 3 nm 芯片工艺则可以提高 30% 的性能，降低 50% 的功耗，以及减少 35% 的面积。
与此同时，台积电方面早前曾宣布将在今年下半年启动 3 nm 芯片的大规模量产。不过，与三星不同的是，台积电仍将会采用 FinFET 架构。
据汗媒报道，有专家称，如果三星在基于 GAA 的 3 nm 芯片制程上保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。这是因为台积电预计将从 2 nm 芯片开始引入 GAA 工艺，并在 2026 年左右发布第一个产品。
也就是说。未来三年将会是三星集团的一个关键时期。
（综合报道）
