台积电（TSMC）宣布已开始全面研发 1.4nm 制程技术，预计将于 2027 至 2028 年间投入生产。
在最新的 IEEE 国际电子元件会议上，台积电透露台积电 2nm 制程技术将按计划于 2025 年开始量产，更先进的 1.4nm 制程技术研发已经全面展开。而这制程技术的正式名称为将被命名为 A14。据悉，A14 制程的命名延续了台积电在制程技术命名上的传统。与之前的 N7、N5 等命名相似，A14 中的 “A” 代表先进（Advanced），而 “14” 则代表了制程技术的纳米级别。
媒体分析，目前台积电尚未透露 A14 的量产时间和具体参数，但考虑到 N2 节点计划于 2025 年底量产，N2P 节点则定于 2026 年底量产，因此 A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
另外，媒体报道推测，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术。因此，可以预见的是 A14 将类似于 N2 节点一样，在采用台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术上进行创新。
据报道，A14 和 N2 节点都需要系统协同优化才能真正发挥作用，并达到新的性能和功耗水平。目前还不清楚台积电是否计划在其新一代 A14 制程中使用 High-NA EUV 光刻技术。考虑到届时英特尔可能会完善孔径为 0.55 的 EUV 光刻机，因此台积电有可能会引进这些设备。
分析称，在当前全球半导体产业竞争日趋激烈的背景下，台积电 1.4nm 制程 A14 芯片的推出，无疑将引领半导体产业进入一个新的发展阶段。一方面，台积电将有望凭借 A14 芯片在全球半导体市场取得更大的份额，进一步巩固其行业地位。另一方面，A14 芯片的推出将加速全球半导体产业的创新与发展，为相关企业带来新的机遇和挑战。
资料来源：综合报道；图片来源：台积电
