美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元的补贴，以帮助进一步扩大三星在美国得克萨斯州中部地区的芯片工厂制造产能。
美国商务部透露，这笔资金将帮助三星将其在得克萨斯州泰勒市的投资规模提升至约 450 亿美元，同时增设第二家芯片制造厂、一座尖端芯片封装设施，并强化研发实力。
韩联社报道，三星的泰勒首家工厂将从 2026 年起生产 4 纳米和 2 纳米芯片。此外，三星还计划建设一座先进的芯片封装工厂，专注于高带宽存储器（HBM）的 3D 封装技术。HBM 是一种特殊类型的内存，是人工智能（AI）计算不可或缺的一部分。它还将提供所谓的 2.5D 封装技术，用于将逻辑芯片和存储芯片组合到单个封装中，从而为人工智能计算创建更强大的芯片系统，满足人工智能计算日益增长的需求。这家工厂将从 2027 年起量产尖端芯片，研发工厂也将于 2027 年投产。
美国商务部表示，三星项目将创造 17 000 个建筑工作岗位和 4 500 个制造业工作岗位。
这笔补贴使得美国商务部今年为美国大型芯片制造项目提供的资金总额达到 230 亿美元。
4 月 8 日，美国宣布将为台积电提供 66 亿美元拨款补贴。台积电的补贴是《芯片和科学法案》规定的第二大拨款，仅次于向英特尔提供的 85 亿美元拨款和 110 亿美元贷款。
资料来源：综合报道；图片来源：韩联社
