SK 海力士计划斥资约 20 万亿韩元(146 亿美元)在韩国构建新的存储芯片产能,进行重大的产能升级,以满足快速增长的人工智能开发需求。
据悉,根据声明,该公司将斥资超过 20 万亿韩元(约合 145.6 亿美元)扩建其位于首尔西南部清州的 DRAM 芯片工厂。根据这项新的长期支出计划,到 2025 年 11 月,该公司将首先完成投资 5.3 万亿韩元的清州芯片制造设施的建设。
SK 海力士表示,这项工厂扩建的目的是提高高带宽内存(HBM)和其他先进人工智能芯片的产量。
媒体指出,这一投资表明 SK 海力士正在全球范围内与其他科技公司竞争,为 AI 服务提供关键的硬件和组件。作为高带宽存储器芯片的领导者,SK 海力士正在努力维持其优势,目前 SK 海力士在 HBM 市场的供应已领先于三星电子,而且公司提供的芯片与英伟达设计的加速器配合良好。然而,三星已经承诺将集中其强大的资源,以追赶高端存储器市场。
华尔街见闻报道,除了在韩国的扩展,SK 海力士还计划在美国印第安纳州投资 39 亿美元建立一个高端封装工厂和 AI 产品研究中心。此外,公司在韩国龙仁的半导体集群也有大规模的投资计划,预计将长期投资约 120 万亿韩元。SK 海力士计划于 2025 年 3 月开始建设龙仁的第一个芯片工厂,并计划在 2027 年 5 月完成。自 2014 年以来,SK 海力士已投资 46 万亿韩元在韩国建设了三座新工厂。
资料来源:综合报道;图片来源:SK 海力士官方面子书