据彭博社报道，全球排名第二的内存芯片制造商 SK 海力士（SK hynix）宣布将斥资 38.7 亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。
SK 海力士表示将在 West Lafayette 建立其首家美国工厂，计划于 2028 年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。
SK 海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长 Eric Holcomb、参议员 Todd Young、白宫科技政策办公室主任 Arati Prabhakar 等一众人员出席了签约活动。
大约两年前，SK 海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资 150 亿美元。
该公司表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。
SK 海力士声称，新工厂将在当地创造 1 000 个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。
资料来源：综合报道；图片来源：SK 海力士
