据韩国媒体 Electronic Times 援引业内消息报道，三星电子正在考虑将其在美国德州兴建中的泰勒晶圆代工厂的芯片制程从 4 纳米改为 2 纳米。这一举措可能是为了提高先进制程的产能，从而增强其在美国市场的竞争力，以便与台积电在美国的工厂和英特尔展开竞争。此外，三星做出这一考虑的另一个原因可能是 4 纳米芯片需求的趋缓。
消息人士透露，三星电子最快将在今年第三季度做出最终决定。三星电子的泰勒工厂项目于 2021年投资，次年开始建设，计划于2024 年底开始分阶段运营。三星电子设备解决方案（DS）部门的前负责人 Lee Bong-hyun 曾表示，到 2024 年底，该工厂将开始出货 4 纳米产品。
泰勒工厂的建设使三星电子有望从美国政府获得 64 亿美元的补贴，到 2030 年，总投资预计将超过 400 亿美元。至于这一工艺转变是否会对投资产生影响，目前仍需继续观察。三星电子此举不仅是在技术层面上的战略调整，也是在市场需求变化和全球竞争格局中的重要应对措施。
此外，若泰勒工厂顺利转向 2 纳米制程，将进一步巩固三星在全球芯片制造领域的领先地位。当前，随着人工智能、物联网和 5G 等高科技领域对先进芯片需求的增加，2 纳米制程的芯片在市场中的重要性也日益凸显。三星电子此举或将为其未来的发展铺平道路。
（综合报道）
