近日，半导体行业两大巨头——三星电子与台积电正式宣布合作，共同开发一种名为 “无缓冲 HBM4 内存” 的新型内存技术。这标志着两家公司在 AI 芯片领域的首次合作，引起了业界广泛关注。
据《韩国经济日报》报道，台积电生态系统与联盟管理处处长 Dan Kochpatcharin 在台北出席行业活动时确认了这一合作。Kochpatcharin 在《SEMICON Taiwan 2024》上表示，随着内存制程日益复杂，与合作伙伴的密切合作变得前所未有的重要。
这种新型无缓冲 HBM4 内存相较于传统 HBM4，去除了用以分配电压和防止电气问题的缓冲器。这一创新不仅提升了内存性能，还为未来更高效的芯片设计奠定了基础。据悉，三星计划于 2025 年推出标准版 HBM4 内存，而与台积电的合作将从第六代 HBM4 开始。
三星电子 DS 部门存储器业务总裁李祯培指出，当前市场对内存解决方案的需求已从单一的标准产品转向更为多样化的定制化方案。为满足客户需求，三星不仅与台积电合作，还积极与其他晶圆厂沟通，提供超过 20 种定制 HBM 内存解决方案。这一策略将为不同领域的用户提供更加灵活的选择，同时促进技术的多元化和创新。
消息显示，三星计划明年下半年量产 HBM4，并打算通过与台积电的合作，为英伟达、谷歌等客户供应定制化芯片与服务。三星还考虑提供一站式服务，从DRAM 生产到逻辑晶粒制造、先进封装服务一气呵成。然而，考虑到部分客户偏好台积电生产的逻辑晶粒，三星也在考虑使用台积电的技术。
值得注意的是，根据市场研究公司 TrendForce 的数据，三星目前占据 HBM 市场 35% 的份额，处于领先地位。这次与台积电的战略合作无疑将进一步巩固三星在 AI 芯片内存领域的优势地位。
（综合报道）
